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규격서
IRF840, SiHF840
기타 관련 문서
Packaging Information
PCN 설계/사양
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019
HTML 규격서
IRF840, SiHF840
EDA/CAD 모델
IRF840PBF by Ultra Librarian
제품 특성
형식
제품 요약
모두 선택
종류
이산 반도체 제품
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
제조업체
Vishay Siliconix
계열
-
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
N채널
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
500V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
8A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
850m옴 @ 4.8A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
63nC @ 10V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1300pF @ 25V
FET 특징
-
내전력(최대)
125W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-220AB
패키지/케이스
TO-220-3
기본 부품 번호
IRF840