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규격서IRF540PBF
기타 관련 문서Packaging Information
PCN 설계/사양Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019
HTML 규격서IRF540PBF
EDA/CAD 모델IRF540PBF by SnapEDA
IRF540PBF by Ultra Librarian
제품 특성
형식제품 요약모두 선택 
종류이산 반도체 제품
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열-
포장튜브 
부품 현황활성
FET 유형N채널
기술MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C28A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs77m옴 @ 17A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs72nC @ 10V
Vgs(최대)±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds1700pF @ 25V
FET 특징-
내전력(최대)150W(Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
공급 장치 패키지TO-220AB
패키지/케이스TO-220-3
기본 부품 번호IRF540