제품 특성
형식제품 요약모두 선택 
종류
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브 
부품 현황활성
FET 유형N채널
기술MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C84A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs12m옴 @ 50A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs130nC @ 10V
Vgs(최대)±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds3210pF @ 25V
FET 특징-
내전력(최대)200W(Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
공급 장치 패키지TO-220AB
패키지/케이스TO-220-3
기본 부품 번호IRF1010