문서 및 미디어
규격서IRFS(L)4010PBF
기타 관련 문서IR Part Numbering System
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
주요제품Data Processing Systems
PCN 설계/사양Copper Plating Update 31/Aug/2015
Material Chg 24/Nov/2015
PCN 조립/원산지Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
PCN 포장Barcode Label Update 24/Feb/2017
PCN 기타Multiple Changes 06/Oct/2014
PCN 부품 상태 변경Pkg Type Disc 16/May/2016
HTML 규격서IRFS(L)4010PBF
시뮬레이션 모델IRFS4010PBF Saber Model
제품 특성
형식제품 요약모두 선택 
종류이산 반도체 제품
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브 
부품 현황Digi-Key에서 공급 중단
FET 유형N채널
기술MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C180A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.7m옴 @ 106A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs215nC @ 10V
Vgs(최대)±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds9575pF @ 50V
FET 특징-
내전력(최대)375W(Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면 실장
공급 장치 패키지D2PAK
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2 리드(lead)+탭), TO-263AB